硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 350MHz

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-07

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

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產(chǎn)品分類

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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品牌	其他品牌	價(jià)格區(qū)間	面議
組成要素	半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,建材/家具,電子/電池

總覽

高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點(diǎn)，可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 350MHz

硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 350MHz硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 200MHz ,硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 200MHz

通用參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低

高增益

高帶寬

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

分布式光纖傳感

激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)

光學(xué)相干層析

光譜測(cè)量

ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)	BPD-Si-100M-B	BPD-Si-200M-B	BPD-Si-350M-B	BPD-Si-500M-B	BPD-Si-1G-B	單位
探測(cè)器型號(hào)	Si
波長(zhǎng)	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	nm
帶寬	100M	200M	350M	500M	1G	Hz
探測(cè)器響應(yīng)度	0.55@850nm	0.55@850nm	0.55@850nm	0.55@850nm	0.55@850nm	A/W
跨阻增益	30K	30K	30K	30K	30K	V/A
飽和輸入光功率	250	250	250	250	250	μW
NEP	12	12	12	13	13	pW/Sqrt(Hz)
共模抑制比	>25	>25	>25	>25	>25	dB
輸出阻抗	50	50	50	50	50	Ω
輸出耦合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	AC	AC
供電電壓	5	5	5	12	12	V
供電電流	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	A
光學(xué)輸入	FC/APC（自由空間可選）	FC/APC（自由空間可選）	FC/APC（自由空間可選）	FC/APC（自由空間可選）	FC/APC（自由空間可選）
射頻輸出	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA
外形尺寸	624725	624725	624725	624725	624725	mm